ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ПОКРЫТИЯ И ПЛЁНКООБРАЗУЮЩИЕ РАСТВОРЫ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Предлагаются пленкообразующие растворы (золи) для формирования диэлектрических покрытий для планаризации поверхности и межслойной изоляции в технологии производства интегральных микросхем.

Область применения

Для планаризации поверхности и межслойной изоляции в технологии производства интегральных микросхем.

Основные преимущества

• Золь наносится на материал методам напыления или центрифугирования.
• Однородное прозрачное покрытие формируется после термообработки при температуре 250-350 °С.
• Хорошая адгезия к поверхности кремния, алюминия, кремниевых подложек с алюминиевой разводкой, стекла.
• Механическая устойчивость к температурным колебаниям;
• Изображение РЭМ-скола показывает, что диэлектрик имеет однослойную однородную структуру.
• Гибкость и управляемость процесса.
• Использование разработки позволит уменьшить зависимость от поставок импортных материалов и снизить затраты на производство интегральных микросхем и другой продукции более чем в 10-15 раз.

Технические характеристики

• Обладает термической стойкостью (до Т = 450 °С);
• Покрытие гомогенно по составу и толщине;
• Толщина покрытия 0,2 - 0,7 мкм.;
• Величина показателя преломления составляет 1,40 – 1,42, что близко к величине показателя для термического окисла, равного 1,42;
• Величина диэлектрической проницаемости слоев находится в диапазоне 4.

Контакты

ГАЙШУН ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ, Заведующий ПНИЛ ПМ, кандидат физ.-мат. наук, доцент
тел.: +375(232) 57-64-36, факс: +375(232) 57-63-57, e-mail: vgaishun@gsu.by

Вернуться к разработкам