ТЕРМОСТОЙКИЕ ДЕКОРАТИВНЫЕ УДАРОПРОЧНЫЕ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ КЕРАМИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ ИЗ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ

В настоящее время достаточно перспективными являются разработки запоминающих устройств на основе энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти (FRAM). Эти устройства должны обладать определенным набором свойств, которые необходимы для практического применения. Большинству этих требований удовлетворяют сегнетоэлектрики SrBi2Ta2O9 (SBT) и SrBi2,5Ta1,1Nb0,9O9 (SBTN). Они могут быть изготовлены, в частности, золь-гель методом. Это один из перспективных методов синтеза кристаллических наноструктур, основанный на совместном осаждении гидроксидов металлов с последующей кристаллизацией этих оксидов при термической обработке. Этот метод достаточно прост, является экологически чистым и экономически выгодным по сравнению с вакуумными методами нанесения покрытий.

Область применения

Для устройств энергонезависимой памяти FRAM, в качестве новой микроэлектронной и СВЧ-элементной базы, интеллектуальных сенсорных, управляющих и исполнительных микромодулей для промышленной и бытовой техники.

Преимущества

• Золь наносится на подложку методом центрифугирования или окунания:
• Однородное прозрачное покрытие формируется на поверхности подложки после термообработки при температуре 750 °С;
• Хорошая адгезия к поверхности кремния, алюминия, кремниевых подложек с платиновой разводкой;
• Экономия затрат на циклах разработки и производства;
• Короткие циклы записи позволяют быстрее программировать устройства, уже находящиеся в составе системы и на сборочных линиях;
• Запись информации без потерь при падении напряжения питания;
• SBT- и SBTN-покрытия проявляют стойкость к радиации и другим проникающим излучениям.

Контакты

ГАЙШУН ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ, Заведующий ПНИЛ ПМ, кандидат физ.-мат. наук, доцент
тел.: +375(232) 57-64-36, факс: +375(232) 57-63-57, e-mail: vgaishun@gsu.by

Вернуться к разработкам